原子层沉积(Atomiclayerdeposition,ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此,它是一种真正的“纳米"技术,以*控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性,因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。
美国ARRADIANCE公司的GEMStarXT系列原子层沉积系统,在小巧的机身(78x56x28cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可zui多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStarXT全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计,使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%,而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现对高达1500:1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。
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