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美国QPhotonics激光二极管 技术原理资料详解

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-02-19 12:01:58    浏览次数:79
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美国QPhotonics激光二极管 技术原理资料详解

相关产品介绍:

单模激光二极管

特征:

-单横模

-波长范围735-1600nm中为5-150mW。

-InGaAs,AlGaAs或InGaAsP MQW

-台地埋结构

-低电容

-3x1.5 um或5x1.5 um发射面积

-内置监控光电二极管

-可选的AR涂层正面

规格:

-型号:QLD-405-100S

-峰值波长(nm):400-415

-典型功率:100毫瓦

-激光类型:FP

-包:5.6毫米

-光谱宽度(nm):1.0

 

超发光二极管

特征:

-双角条纹MOCVD结构

-双增透膜,反射率0.5%

-蝴蝶式封装,带有内置监控光电二极管,热敏电阻,热电冷却器和单模光纤尾纤

-可选的FC / APC连接器

-连续或脉冲操作,切换时间10ns

-现在提供9mm TO封装,14引脚DIL,mini-DIL封装和芯片上安装座

规格:    

-型号:QSDM-670-5

-峰值波长(nm):650-690

-典型功率:5毫瓦

-激光类型:SLD

-包:蝴蝶

-光谱宽度(nm):7


 
(文/小编)
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