这项技术的目标是将非易失闪存 NAND、易失性内存 RAM 结合在一起，兼顾能效，具有极高的耐用性。此前，英特尔 Optane 傲腾已经做出了先行尝试，量产了傲腾内存产品，但是仍不足以完全替代 RAM。与此同时，三星也有 Z-NAND 技术，铠侠和西部数据也希望将 XL-FLASH 存储应用到消费级或企业级存储产品中。
具体来看，UltraRAM 芯片的制造工艺，与 LED、激光器、光电晶体管等半导体元件相似。从结构上看，这种存储技术采用硅衬底，相比砷化镓成本大幅降低。芯片具有复杂的多层结构，中央的结构还使用了氧化铝进行隔离。
科学家表示，UltraRAM 的制造成本比较低，其拥有很高的性价比。目前已经制造出的测试用原型，可以保证数据能够保存 1000 年，擦写次数可以超过 1000 万，几乎不需要考虑耐久性。如果这种存储芯片能够实现比肩传统 RAM 的速度的话，将会对行业产生重大影响。
制造过程图解：
UltraRAM 使用“共振隧穿”量子力学效应，在施加电压后，允许势垒从不透明转为透明。与 RAM 和 NAND 闪存使用的写入技术相比，UltraRAM 的写入过程非常节能，因此有助于提高移动设备的续航时间。
兰开斯特大学的研究人员表示，他们需要进一步改进存储单元的制造工艺，提高存储密度。这项技术有很大的潜力，可以消除传统计算机与专用内存进行数据传输的过程。
