11 月 3 日消息，昨日，中微公司宣布，电容耦合高能等离子体(CCP)刻蚀设备第 1500 个反应台顺利付运国内一家半导体制造商。本次交付的 Primo D-RIE 刻蚀设备反应台来自该客户的重复订单。
中微公司表示，Primo D-RIE 刻蚀设备被芯片制造商用于制造存储和逻辑器件。为优化产量而设计，Primo D-RIE 可以配置多达三个双反应台反应腔，每个反应腔既可以独立操作，又可以同时加工两片晶圆。
自 2007 年 Primo D-RIE 发布以来，中微公司陆续拓展了 CCP 刻蚀设备产品线。CCP 刻蚀设备系列还包括双反应台刻蚀设备 Primo AD-RIE、单反应台刻蚀设备 Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE 和刻蚀及除胶一体化的 Primo iDEA。
据介绍，这些产品用于 5 纳米及以下工艺的多种应用。中微公司的刻蚀设备产品线还包括其他两款电感耦合低能等离子体(ICP)刻蚀设备和硅通孔(TSV)刻蚀设备。
